STMicroelectronics IGBT, STGWA75H65DFB2, Tipo N-Canal, 115 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
115A
Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
650V
Disipación de potencia máxima Pd
357W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de conmutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Longitud
15.9mm
Altura
5.1mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
STG
Estándar de automoción
No
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
2
P.O.A.
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Empaque de Producción (Tubo)
2
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
115A
Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
650V
Disipación de potencia máxima Pd
357W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de conmutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Longitud
15.9mm
Altura
5.1mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
STG
Estándar de automoción
No

