IGBT, STGWA50M65DF2AG, N-Canal, 119 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1

Código de producto RS: 215-008Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STGWA50M65DF2AG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

119 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

576 W

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

TO-247

Configuración

Single

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de canal

N

Conteo de Pines

3

País de Origen

China

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P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

IGBT, STGWA50M65DF2AG, N-Canal, 119 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1

30

Disponible en múltiplos de 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

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30P.O.A.
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