STMicroelectronics IGBT, N-Canal, 86 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHZ

El IGBT STMicroelectronics serie HB2 de 650 V representa una evolución de la estructura de parada de campo de puerta Trench patentada Advanced. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) con valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida. Un diodo utilizado con fines de protección solo está co-encapsulado en antiparalelo con el IGBT. El resultado es un producto diseñado específicamente para maximizar la eficiencia para una amplia gama de aplicaciones rápidas.

• Temperatura de conexión máxima de 175 °C.
• Diodo de protección encapsulado
• Corriente de cola minimizada
• Distribución de parámetros ajustada
• Resistencia térmica baja
• Coeficiente de temperatura positivo