STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 120 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
120A
Tipo de producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
469W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de Canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.3V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
175°C
Profundidad
5.15 mm
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
Trench Gate Field Stop
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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30
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IGBT
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600V
Disipación de potencia máxima Pd
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Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de Canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
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Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
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Temperatura de Funcionamiento Máxima
175°C
Profundidad
5.15 mm
Altura
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Longitud
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Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
Trench Gate Field Stop
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No
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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