STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
650V
Disipación de potencia máxima Pd
469W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Altura
20.15mm
Certificaciones y estándares
Lead (Pb) Free package, ECOPACK
Series
H
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 214.980
$ 7.166 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 255.826
$ 8.527,54 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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30
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | $ 7.166 | $ 214.980 |
| 60 - 120 | $ 5.939 | $ 178.170 |
| 150+ | $ 5.791 | $ 173.730 |
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Brand
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IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
650V
Disipación de potencia máxima Pd
469W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Altura
20.15mm
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Lead (Pb) Free package, ECOPACK
Series
H
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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