STMicroelectronics IGBT, STGW80H65DFB, Tipo N-Canal, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante

Código de producto RS: 792-5814Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STGW80H65DFB
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

469W

Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Type N

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Altura

20.15mm

Certificaciones y estándares

Lead (Pb) Free package, ECOPACK

Series

H

Estándar de automoción

No

Datos del producto

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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$ 8.993

$ 8.993 Each (Sin IVA)

$ 10.702

$ 10.702 Each (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 4$ 8.993
5 - 9$ 8.537
10 - 24$ 7.686
25 - 49$ 6.914
50+$ 6.584

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Disipación de potencia máxima Pd

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Tipo de Montaje

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Tipo de canal

Type N

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Altura

20.15mm

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Series

H

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No

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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