Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
120 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
469 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de canal
N
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Volver a intentar más tarde
$ 8.993
$ 8.993 Each (Sin IVA)
$ 10.702
$ 10.702 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
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$ 10.702
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Estándar
1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | $ 8.993 |
| 5 - 9 | $ 8.537 |
| 10 - 24 | $ 7.686 |
| 25 - 49 | $ 6.914 |
| 50+ | $ 6.584 |
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
120 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
469 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de canal
N
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


