IGBT, STGW80H65DFB, N-Canal, 120 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple

Código de producto RS: 792-5814Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STGW80H65DFB
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Corriente Máxima Continua del Colector

120 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

469 W

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Single

Dimensiones del Cuerpo

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Datos del producto

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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$ 8.993

$ 8.993 Each (Sin IVA)

$ 10.702

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 4$ 8.993
5 - 9$ 8.537
10 - 24$ 7.686
25 - 49$ 6.914
50+$ 6.584

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120 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

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Disipación de Potencia Máxima

469 W

Tipo de Encapsulado

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Tipo de montaje

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Tipo de canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Single

Dimensiones del Cuerpo

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

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