STMicroelectronics IGBT, STGW60V60DF, Tipo N-Canal, 60 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
60A
Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
375W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.3V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Anchura
5.15 mm
Altura
20.15mm
Largo
15.75mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Series
Trench Gate Field Stop
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 30.715
$ 6.143 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 36.551
$ 7.310,17 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | $ 6.143 | $ 30.715 |
| 10 - 20 | $ 5.837 | $ 29.185 |
| 25 - 45 | $ 5.254 | $ 26.270 |
| 50+ | $ 5.223 | $ 26.115 |
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STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
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Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
375W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
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Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
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Altura
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Largo
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RoHS
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No
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Discretos IGBT, STMicroelectronics
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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