IGBT, STGW60V60DF, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
60 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 30.715
$ 6.143 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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$ 7.310,17 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | $ 6.143 | $ 30.715 |
| 10 - 20 | $ 5.837 | $ 29.185 |
| 25 - 45 | $ 5.254 | $ 26.270 |
| 50+ | $ 5.223 | $ 26.115 |
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±20V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
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Single
Dimensiones del Cuerpo
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
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Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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