IGBT, STGW60V60DF, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
60 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de conmutación
1MHz
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 149.310
$ 4.977 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 177.679
$ 5.922,63 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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30
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | $ 4.977 | $ 149.310 |
| 60 - 120 | $ 4.799 | $ 143.970 |
| 150+ | $ 4.679 | $ 140.370 |
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Brand
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60 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de conmutación
1MHz
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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