STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 60 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
IGBT
Corriente continua máxima de colector Ic
60A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
375W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de Canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.3V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
Trench Gate Field Stop
Profundidad
5.15 mm
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 149.310
$ 4.977 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 177.679
$ 5.922,63 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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30
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | $ 4.977 | $ 149.310 |
| 60 - 120 | $ 4.799 | $ 143.970 |
| 150+ | $ 4.679 | $ 140.370 |
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IGBT
Corriente continua máxima de colector Ic
60A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
375W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de Canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.3V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
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Serie
Trench Gate Field Stop
Profundidad
5.15 mm
Altura
20.15mm
Longitud
15.75mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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