STMicroelectronics IGBT, STGW60H65DFB, Tipo N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
80A
Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
650V
Disipación de potencia máxima Pd
375W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.3V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Series
H
Altura
20.15mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
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Disipación de potencia máxima Pd
375W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.3V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Series
H
Altura
20.15mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

