Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
80A
Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
650V
Disipación de potencia máxima Pd
375W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.3V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Series
H
Altura
20.15mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Volver a intentar más tarde
$ 7.214
$ 7.214 Each (Sin IVA)
$ 8.585
$ 8.585 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
$ 7.214
$ 7.214 Each (Sin IVA)
$ 8.585
$ 8.585 Each (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
Estándar
1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | $ 7.214 |
| 5 - 9 | $ 6.851 |
| 10 - 24 | $ 6.158 |
| 25 - 49 | $ 5.560 |
| 50+ | $ 5.261 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
80A
Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
650V
Disipación de potencia máxima Pd
375W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.3V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Series
H
Altura
20.15mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


