Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
80A
Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
650V
Disipación de potencia máxima Pd
283W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de conmutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.3V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
175°C
Longitud:
15.75mm
Altura
20.15mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
H
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Volver a intentar más tarde
$ 5.150
$ 2.575 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 6.128
$ 3.064,25 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Estándar
2
$ 5.150
$ 2.575 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 6.128
$ 3.064,25 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
Estándar
2
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
80A
Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
650V
Disipación de potencia máxima Pd
283W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de conmutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.3V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
175°C
Longitud:
15.75mm
Altura
20.15mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
H
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


