STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
80A
Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
650V
Disipación de potencia máxima Pd
283W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.3V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Altura
20.15mm
Certificaciones y estándares
Lead (Pb) Free package, ECOPACK
Series
H
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Volver a intentar más tarde
$ 112.170
$ 3.739 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 133.482
$ 4.449,41 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
$ 112.170
$ 3.739 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 133.482
$ 4.449,41 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
30
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 60 | $ 3.739 | $ 112.170 |
| 90 - 480 | $ 3.643 | $ 109.290 |
| 510+ | $ 3.552 | $ 106.560 |
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
80A
Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
650V
Disipación de potencia máxima Pd
283W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.3V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Altura
20.15mm
Certificaciones y estándares
Lead (Pb) Free package, ECOPACK
Series
H
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos