STMicroelectronics IGBT, STGW30V60F, Tipo N-Canal, 30 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
30A
Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
260W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.3V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Series
V
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 14.680
$ 2.936 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 17.469
$ 3.493,84 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 2.936 | $ 14.680 |
| 25 - 45 | $ 2.857 | $ 14.285 |
| 50 - 120 | $ 2.781 | $ 13.905 |
| 125 - 245 | $ 2.709 | $ 13.545 |
| 250+ | $ 2.643 | $ 13.215 |
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IGBT
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Disipación de potencia máxima Pd
260W
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Tipo de Montaje
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Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
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V
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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