Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
IGBT
Corriente continua máxima de colector Ic
54A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
167W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
70ns
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.7V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
150°C
Anchura
5.15 mm
Altura
20.15mm
Largo
15.75mm
Certificaciones y estándares
JEDEC
Series
SMPS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Volver a intentar más tarde
$ 3.245
$ 3.245 Each (Sin IVA)
$ 3.862
$ 3.862 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
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Estándar
1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 3.245 |
| 10 - 99 | $ 3.024 |
| 100 - 499 | $ 2.930 |
| 500 - 999 | $ 2.867 |
| 1000+ | $ 2.788 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
IGBT
Corriente continua máxima de colector Ic
54A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
167W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
70ns
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.7V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
150°C
Anchura
5.15 mm
Altura
20.15mm
Largo
15.75mm
Certificaciones y estándares
JEDEC
Series
SMPS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


