IGBT, STGW20NC60VD, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
60 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 91.680
$ 3.056 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 109.099
$ 3.636,64 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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30
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 60 | $ 3.056 | $ 91.680 |
| 90 - 480 | $ 2.852 | $ 85.560 |
| 510 - 960 | $ 2.778 | $ 83.340 |
| 990+ | $ 2.709 | $ 81.270 |
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60 A
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±20V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
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Tipo de Canal
N
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3
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Single
Dimensiones del Cuerpo
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura Máxima de Operación
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Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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