STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 54 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 70 ns
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
54A
Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
167W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
70ns
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.7V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
150°C
Anchura
5.15 mm
Altura
20.15mm
Largo
15.75mm
Certificaciones y estándares
JEDEC
Series
SMPS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 91.680
$ 3.056 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 109.099
$ 3.636,64 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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30
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 60 | $ 3.056 | $ 91.680 |
| 90 - 480 | $ 2.852 | $ 85.560 |
| 510 - 960 | $ 2.778 | $ 83.340 |
| 990+ | $ 2.709 | $ 81.270 |
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Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
167W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
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Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
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Temperatura de Funcionamiento Máxima
150°C
Anchura
5.15 mm
Altura
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Largo
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JEDEC
Series
SMPS
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No
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Discretos IGBT, STMicroelectronics
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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