STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 40 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
IGBT
Corriente continua máxima de colector Ic
40A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
167W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
175°C
Altura
20.15mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Series
Trench Gate Field Stop
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Volver a intentar más tarde
$ 77.010
$ 2.567 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 91.642
$ 3.054,73 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
$ 77.010
$ 2.567 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 91.642
$ 3.054,73 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
30
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | $ 2.567 | $ 77.010 |
| 60 - 120 | $ 2.244 | $ 67.320 |
| 150+ | $ 2.189 | $ 65.670 |
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
IGBT
Corriente continua máxima de colector Ic
40A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
167W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
175°C
Altura
20.15mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Series
Trench Gate Field Stop
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos