STMicroelectronics IGBT, STGW20H60DF, Tipo N-Canal, 40 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
40A
Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
167W
Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Altura
20.15mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Series
Trench Gate Field Stop
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 6.142
$ 3.071 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 7.309
$ 3.654,49 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
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2
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | $ 3.071 | $ 6.142 |
| 10 - 18 | $ 2.914 | $ 5.828 |
| 20 - 48 | $ 2.622 | $ 5.244 |
| 50 - 98 | $ 2.355 | $ 4.710 |
| 100+ | $ 2.244 | $ 4.488 |
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IGBT
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167W
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Tipo de Montaje
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Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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No
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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