IGBT, STGW20H60DF, N-Canal, 40 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple

Código de producto RS: 792-5798Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STGW20H60DF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

40 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

167000 mW

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Número de pines

3

Configuración de transistor

Single

Dimensiones

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Datos del producto

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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$ 6.142

$ 3.071 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

$ 7.309

$ 3.654,49 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)

IGBT, STGW20H60DF, N-Canal, 40 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2$ 6.142
4$ 12.284
6$ 18.426
8$ 24.568
10$ 29.140
12$ 34.968
14$ 40.796
16$ 46.624
18$ 52.452
20$ 52.440
22$ 57.684
24$ 62.928
26$ 68.172
28$ 73.416
30$ 78.660

$ 6.142

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2

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2$ 6.142
4$ 12.284
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12$ 34.968
14$ 40.796
16$ 46.624
18$ 52.452
20$ 52.440
22$ 57.684
24$ 62.928
26$ 68.172
28$ 73.416
30$ 78.660

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
2 - 8$ 3.071$ 6.142
10 - 18$ 2.914$ 5.828
20 - 48$ 2.622$ 5.244
50 - 98$ 2.355$ 4.710
100+$ 2.244$ 4.488

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40 A

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±20V

Disipación de Potencia Máxima

167000 mW

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Número de pines

3

Configuración de transistor

Single

Dimensiones

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Datos del producto

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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