Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
216A
Tipo de producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
650V
Disipación de potencia máxima Pd
714W
Número de transistores
2
Encapsulado
ECOPACK
Configuración
Single
Tipo de Montaje
Superficie
Tipo de Canal
NPN
Número de pines
9
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.05V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Longitud
4mm
Altura
5.5mm
Certificaciones y estándares
UL1557
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
Datos del producto
La serie M IGBT de baja pérdida de parada de campo de puerta de trinchera de grado de automoción de STMicroelectronics en un encapsulado ACEPACK SMIT. Este dispositivo es un IGBT desarrollado utilizando una estructura de parada de campo de puerta de trinchera propietaria avanzada. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie M, que representan un equilibrio óptimo entre el rendimiento del sistema de inversores y la eficiencia donde la baja pérdida y la funcionalidad de cortocircuito son esenciales.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
Volver a intentar más tarde
$ 23.641
$ 23.641 Each (Sin IVA)
$ 28.133
$ 28.133 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
$ 23.641
$ 23.641 Each (Sin IVA)
$ 28.133
$ 28.133 Each (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
Estándar
1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 23.641 |
| 10 - 49 | $ 22.460 |
| 50 - 99 | $ 21.310 |
| 100 - 149 | $ 20.255 |
| 150+ | $ 19.231 |
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
216A
Tipo de producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
650V
Disipación de potencia máxima Pd
714W
Número de transistores
2
Encapsulado
ECOPACK
Configuración
Single
Tipo de Montaje
Superficie
Tipo de Canal
NPN
Número de pines
9
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.05V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Longitud
4mm
Altura
5.5mm
Certificaciones y estándares
UL1557
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
Datos del producto
La serie M IGBT de baja pérdida de parada de campo de puerta de trinchera de grado de automoción de STMicroelectronics en un encapsulado ACEPACK SMIT. Este dispositivo es un IGBT desarrollado utilizando una estructura de parada de campo de puerta de trinchera propietaria avanzada. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie M, que representan un equilibrio óptimo entre el rendimiento del sistema de inversores y la eficiencia donde la baja pérdida y la funcionalidad de cortocircuito son esenciales.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
