IGBT, STGP7NC60HD, N-Canal, 25 A, 600 V, TO-220, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
25 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Número de pines
3
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 81.900
$ 1.638 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 97.461
$ 1.949,22 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 1.638 | $ 81.900 |
| 100 - 450 | $ 1.236 | $ 61.800 |
| 500 - 950 | $ 1.043 | $ 52.150 |
| 1000 - 4950 | $ 884 | $ 44.200 |
| 5000+ | $ 862 | $ 43.100 |
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STMicroelectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
25 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
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±20V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
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Tipo de Canal
N
Número de pines
3
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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