IGBT, STGP3HF60HD, N-Canal, 7,5 A, 600 V, TO-220, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
7.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
38000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
10.4 x 4.6 x 15.75mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 56.550
$ 1.131 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 67.294
$ 1.345,89 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 1.131 | $ 56.550 |
| 100 - 200 | $ 1.074 | $ 53.700 |
| 250 - 450 | $ 967 | $ 48.350 |
| 500+ | $ 961 | $ 48.050 |
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7.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
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Disipación de Potencia Máxima
38000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
10.4 x 4.6 x 15.75mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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