Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
7.5A
Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
38W
Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.95V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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5
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
7.5A
Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
38W
Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.95V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


