IGBT, STGP3HF60HD, N-Canal, 7,5 A, 600 V, TO-220, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
7.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
38000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
10.4 x 4.6 x 15.75mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 7.040
$ 1.408 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 8.378
$ 1.675,52 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | $ 1.408 | $ 7.040 |
| 10 - 95 | $ 1.156 | $ 5.780 |
| 100 - 495 | $ 813 | $ 4.065 |
| 500+ | $ 702 | $ 3.510 |
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Disipación de Potencia Máxima
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
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N
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3
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Single
Dimensiones del Cuerpo
10.4 x 4.6 x 15.75mm
Temperatura Mínima de Operación
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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