STMicroelectronics Módulo de potencia inteligente, STGIB15CH60TS-L Conjunto, Tipo N-Canal, 20 A, 600 V, SDIP2B, 26 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
Módulo de potencia inteligente
Corriente continua máxima de colector Ic
20A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Número de transistores
6
Disipación de potencia máxima Pd
81W
Configuración
Array
Encapsulado
SDIP2B
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
26
Temperatura de Funcionamiento Mínima
125°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Certificaciones y estándares
No
Longitud:
38mm
Altura
3.5mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Módulos de potencia inteligente SLLIMM™, STMicroelectronics
STMicroelectronics ha ampliado su oferta de módulos de potencia inteligente IGBT con la introducción de la segunda serie de módulos de potencia inteligente SLLIMM. Gracias al equilibrio óptimo entre energía de conmutación y de conducción, combinado con una extraordinaria solidez y comportamiento frente a EMI, aumentan la eficiencia de aplicaciones de accionamiento de motor de hasta 20 kHz. Están disponibles en encapsulado totalmente moldeado o basado en DBC que proporciona elevada corriente de colector.
Los módulos pequeños moldeados de baja pérdida (SLLIMM™) mejoran la eficiencia de los controladores de motor de electrodomésticos. Los módulos de potencia inteligente (IPM) proporcionan una conexión directa entre un microcontrolador de baja tensión y un motor eléctrico con alimentación de red.
Puente inversor IGBT trifásico incluidos CI de control para accionamiento de puerta y diodos de circulación libre
Temperatura de funcionamiento máxima de conexión de 175 °C
600 V, de 8 A a 35 A dc nominal a 25 °C
Bajo VCE (sat)
Menor valor de Rth del mercado para las versiones con encapsulado DBC
Aislamiento nominal de 1.500 V rms/min
Drivers y silicio optimizados para EMI bajo
Salidas de emisor abierto independientes
Entradas CMOS/TTL de 3,3 V, 5 V, 15 V
Bloqueo por tensión insuficiente
Diodo interno de autocarga
Función de bloqueo
Función de desconexión inteligente
Comparador para protección de fallos contra exceso de temperatura y corriente
Motor Controllers & Drivers, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Estándar
1
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1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
Módulo de potencia inteligente
Corriente continua máxima de colector Ic
20A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Número de transistores
6
Disipación de potencia máxima Pd
81W
Configuración
Array
Encapsulado
SDIP2B
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
26
Temperatura de Funcionamiento Mínima
125°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Certificaciones y estándares
No
Longitud:
38mm
Altura
3.5mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Módulos de potencia inteligente SLLIMM™, STMicroelectronics
STMicroelectronics ha ampliado su oferta de módulos de potencia inteligente IGBT con la introducción de la segunda serie de módulos de potencia inteligente SLLIMM. Gracias al equilibrio óptimo entre energía de conmutación y de conducción, combinado con una extraordinaria solidez y comportamiento frente a EMI, aumentan la eficiencia de aplicaciones de accionamiento de motor de hasta 20 kHz. Están disponibles en encapsulado totalmente moldeado o basado en DBC que proporciona elevada corriente de colector.
Los módulos pequeños moldeados de baja pérdida (SLLIMM™) mejoran la eficiencia de los controladores de motor de electrodomésticos. Los módulos de potencia inteligente (IPM) proporcionan una conexión directa entre un microcontrolador de baja tensión y un motor eléctrico con alimentación de red.
Puente inversor IGBT trifásico incluidos CI de control para accionamiento de puerta y diodos de circulación libre
Temperatura de funcionamiento máxima de conexión de 175 °C
600 V, de 8 A a 35 A dc nominal a 25 °C
Bajo VCE (sat)
Menor valor de Rth del mercado para las versiones con encapsulado DBC
Aislamiento nominal de 1.500 V rms/min
Drivers y silicio optimizados para EMI bajo
Salidas de emisor abierto independientes
Entradas CMOS/TTL de 3,3 V, 5 V, 15 V
Bloqueo por tensión insuficiente
Diodo interno de autocarga
Función de bloqueo
Función de desconexión inteligente
Comparador para protección de fallos contra exceso de temperatura y corriente

