Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
60A
Tipo de producto
Puerta de zanja Parada de campo IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
260W
Encapsulado
TO-3PF
Tipo de soporte
Orificio pasante
Tipo de Canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de conmutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.3V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
15.7mm
Altura
26.7mm
Certificaciones y estándares
ECOPACK
Serie
V
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Volver a intentar más tarde
$ 6.962
$ 3.481 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 8.285
$ 4.142,39 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Estándar
2
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2
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | $ 3.481 | $ 6.962 |
| 10 - 18 | $ 3.308 | $ 6.616 |
| 20 - 48 | $ 2.977 | $ 5.954 |
| 50 - 98 | $ 2.678 | $ 5.356 |
| 100+ | $ 2.544 | $ 5.088 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
60A
Tipo de producto
Puerta de zanja Parada de campo IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
260W
Encapsulado
TO-3PF
Tipo de soporte
Orificio pasante
Tipo de Canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de conmutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.3V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
15.7mm
Altura
26.7mm
Certificaciones y estándares
ECOPACK
Serie
V
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


