STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 7 A, 600 V, TO-220FP, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
7A
Tipo de producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
56W
Encapsulado
TO-220FP
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de Canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.5V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
150°C
Profundidad
4.6 mm
Altura
16.4mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
JEDEC JESD97
Serie
Powermesh
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 73.800
$ 1.476 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 87.822
$ 1.756,44 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 1.476 | $ 73.800 |
| 100 - 200 | $ 1.402 | $ 70.100 |
| 250 - 450 | $ 1.262 | $ 63.100 |
| 500+ | $ 1.255 | $ 62.750 |
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STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
7A
Tipo de producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
56W
Encapsulado
TO-220FP
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de Canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
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Temperatura de Funcionamiento Máxima
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Profundidad
4.6 mm
Altura
16.4mm
Largo
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JEDEC JESD97
Serie
Powermesh
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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