IGBT, STGF6NC60HD, N-Canal, 6 A, 600 V, TO-220FP, 3-Pines, 1MHZ Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
6 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Configuración de transistor
Single
Dimensiones
10.4 x 4.6 x 16.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 73.800
$ 1.476 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 87.822
$ 1.756,44 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 1.476 | $ 73.800 |
| 100 - 200 | $ 1.402 | $ 70.100 |
| 250 - 450 | $ 1.262 | $ 63.100 |
| 500+ | $ 1.255 | $ 62.750 |
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STMicroelectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
6 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Configuración de transistor
Single
Dimensiones
10.4 x 4.6 x 16.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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