STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 9 A, 600 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
9A
Tipo de producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
25W
Encapsulado
TO-220
Tipo de soporte
Orificio pasante
Tipo de Canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de conmutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.5V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud
10.4mm
Altura
16.4mm
Certificaciones y estándares
No
Serie
Low Drop
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 12.730
$ 1.273 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 15.149
$ 1.514,87 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)
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10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 10 - 40 | $ 1.273 | $ 12.730 |
| 50 - 90 | $ 1.208 | $ 12.080 |
| 100 - 240 | $ 1.169 | $ 11.690 |
| 250 - 490 | $ 1.139 | $ 11.390 |
| 500+ | $ 1.110 | $ 11.100 |
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IGBT
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600V
Disipación de potencia máxima Pd
25W
Encapsulado
TO-220
Tipo de soporte
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Tipo de Canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de conmutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
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Temperatura Máxima de Operación
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Longitud
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No
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Low Drop
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No
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Discretos IGBT, STMicroelectronics
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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