STMicroelectronics IGBT, STGF10NB60SD, Tipo N-Canal, 29 A, 600 V, TO-220FP, 3 pines Orificio pasante, 3.8 μs

Código de producto RS: 877-2873PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STGF10NB60SD
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Corriente continua máxima de colector Ic

29A

Tipo de Producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

80W

Encapsulado

TO-220FP

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Type N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

3.8μs

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.75V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Altura

10.4mm

Longitud:

30.6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

Low Drop

Energía nominal

8mJ

Estándar de automoción

No

País de Origen

China

Datos del producto

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

STMicroelectronics IGBT, STGF10NB60SD, Tipo N-Canal, 29 A, 600 V, TO-220FP, 3 pines Orificio pasante, 3.8 μs
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

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80P.O.A.
90P.O.A.
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110P.O.A.
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80W

Encapsulado

TO-220FP

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Orificio pasante

Tipo de canal

Type N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

3.8μs

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.75V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Altura

10.4mm

Longitud:

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RoHS

Serie

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Energía nominal

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No

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China

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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