Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
29A
Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
80W
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
3.8μs
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
1.75V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
10.4mm
Longitud
30.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
Low Drop
Energía nominal
8mJ
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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$ 18.270
$ 1.827 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 21.741
$ 2.174,13 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)
Estándar
10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 10 - 40 | $ 1.827 | $ 18.270 |
| 50 - 90 | $ 1.736 | $ 17.360 |
| 100 - 240 | $ 1.561 | $ 15.610 |
| 250 - 490 | $ 1.518 | $ 15.180 |
| 500+ | $ 1.481 | $ 14.810 |
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
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600V
Disipación de potencia máxima Pd
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TO-220FP
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
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3
Velocidad de Comnutación
3.8μs
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
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150°C
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10.4mm
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RoHS
Serie
Low Drop
Energía nominal
8mJ
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No
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China
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El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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