STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 29 A, 600 V, TO-220FP, 3 pines Orificio pasante, 3.8 μs
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
29A
Tipo de producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
80W
Encapsulado
TO-220FP
Tipo de soporte
Orificio pasante
Tipo de Canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de conmutación
3.8μs
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
1.75V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Altura
10.4mm
Longitud
30.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
Low Drop
Energía nominal
8mJ
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 91.350
$ 1.827 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 108.706
$ 2.174,13 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 1.827 | $ 91.350 |
| 100 - 200 | $ 1.520 | $ 76.000 |
| 250+ | $ 1.482 | $ 74.100 |
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
29A
Tipo de producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
80W
Encapsulado
TO-220FP
Tipo de soporte
Orificio pasante
Tipo de Canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de conmutación
3.8μs
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
1.75V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Altura
10.4mm
Longitud
30.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
Low Drop
Energía nominal
8mJ
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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