Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
29A
Tipo de producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
80W
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Conmutación
3.8μs
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
1.75V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
10.4mm
Longitud:
30.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
Low Drop
Energía nominal
8mJ
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
10
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IGBT
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Disipación de potencia máxima Pd
80W
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
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3
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3.8μs
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
1.75V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
10.4mm
Longitud:
30.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
Low Drop
Energía nominal
8mJ
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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