STMicroelectronics IGBT, STGD5NB120SZT4, Tipo N-Canal, 5 A, 1200 V, TO-252, 3 pines Superficie, 690 ns
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
5A
Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
1200V
Disipación de potencia máxima Pd
75W
Encapsulado
TO-252
Tipo de Montaje
Superficie
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
690ns
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
150°C
Profundidad
6.4 mm
Altura
2.2mm
Largo
6.2mm
Certificaciones y estándares
JEDEC JESD97, ECOPACK
Series
H
Energía nominal
12.68mJ
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 13.390
$ 2.678 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 15.934
$ 3.186,82 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 2.678 | $ 13.390 |
| 25 - 45 | $ 2.542 | $ 12.710 |
| 50 - 120 | $ 2.290 | $ 11.450 |
| 125 - 245 | $ 2.060 | $ 10.300 |
| 250+ | $ 1.956 | $ 9.780 |
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Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
5A
Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
1200V
Disipación de potencia máxima Pd
75W
Encapsulado
TO-252
Tipo de Montaje
Superficie
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
690ns
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
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150°C
Profundidad
6.4 mm
Altura
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Largo
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Series
H
Energía nominal
12.68mJ
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No
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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