STMicroelectronics IGBT, STGD5NB120SZT4, Tipo N-Canal, 5 A, 1200 V, TO-252, 3 pines Superficie, 690 ns

Código de producto RS: 877-2879PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STGD5NB120SZT4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Corriente continua máxima de colector Ic

5A

Tipo de Producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

75W

Encapsulado

TO-252

Tipo de Montaje

Superficie

Tipo de canal

Type N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

690ns

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Altura

2.2mm

Longitud:

6.2mm

Certificaciones y estándares

JEDEC JESD97, ECOPACK

Serie

H

Energía nominal

12.68mJ

Estándar de automoción

No

País de Origen

China

Datos del producto

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

STMicroelectronics IGBT, STGD5NB120SZT4, Tipo N-Canal, 5 A, 1200 V, TO-252, 3 pines Superficie, 690 ns
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
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1200V

Disipación de potencia máxima Pd

75W

Encapsulado

TO-252

Tipo de Montaje

Superficie

Tipo de canal

Type N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

690ns

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Altura

2.2mm

Longitud:

6.2mm

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Serie

H

Energía nominal

12.68mJ

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No

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China

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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