STMicroelectronics Puerta de zanja Parada de campo IGBT, Tipo N-Canal, 10 A, 600 V, TO-252, 3 pines Superficie
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
10A
Tipo de Producto
Puerta de zanja Parada de campo IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
88W
Encapsulado
TO-252
Tipo de Montaje
Superficie
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
1.95V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
175°C
Longitud:
6.6mm
Altura
2.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
H
Energía nominal
221mJ
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 1.505.000
$ 602 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 1.790.950
$ 716,38 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
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STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
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Tipo de Producto
Puerta de zanja Parada de campo IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
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Disipación de potencia máxima Pd
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Encapsulado
TO-252
Tipo de Montaje
Superficie
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Type N
Número de pines
3
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
175°C
Longitud:
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RoHS
Serie
H
Energía nominal
221mJ
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No
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China
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Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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