IGBT, STGD5H60DF, N-Canal, 10 A, 600 V, DPAK (TO-252), 3-Pines Simple

Código de producto RS: 906-2798PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STGD5H60DF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

10 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Tipo de Canal

N

Número de pines

3

Configuración de transistor

Single

Dimensiones

6.6 x 6.2 x 2.4mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Capacitancia de puerta

855pF

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

221mJ

País de Origen

China

Datos del producto

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

IGBT, STGD5H60DF, N-Canal, 10 A, 600 V, DPAK (TO-252), 3-Pines Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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10 A

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±20V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Tipo de Canal

N

Número de pines

3

Configuración de transistor

Single

Dimensiones

6.6 x 6.2 x 2.4mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Capacitancia de puerta

855pF

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

221mJ

País de Origen

China

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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