STMicroelectronics Puerta de zanja Parada de campo IGBT, STGD5H60DF, Tipo N-Canal, 10 A, 600 V, TO-252, 3 pines

Código de producto RS: 906-2798PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STGD5H60DF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de producto

Puerta de zanja Parada de campo IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

10A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

88W

Encapsulado

TO-252

Tipo de soporte

Surface

Tipo de Canal

Type N

Número de pines

3

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.95V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura Máxima de Operación

175°C

Altura

2.4mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

H

Longitud

6.6mm

Energía nominal

221mJ

Estándar de automoción

No

País de Origen

China

Datos del producto

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

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Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

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Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

88W

Encapsulado

TO-252

Tipo de soporte

Surface

Tipo de Canal

Type N

Número de pines

3

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.95V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura Máxima de Operación

175°C

Altura

2.4mm

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Serie

H

Longitud

6.6mm

Energía nominal

221mJ

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No

País de Origen

China

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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