STMicroelectronics Puerta de zanja Parada de campo IGBT, STGD5H60DF, Tipo N-Canal, 10 A, 600 V, TO-252, 3 pines

Código de producto RS: 906-2798Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STGD5H60DF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Corriente continua máxima de colector Ic

10A

Tipo de producto

Puerta de zanja Parada de campo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

88W

Encapsulado

TO-252

Tipo de Montaje

Surface

Tipo de Canal

Type N

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.95V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

175°C

Profundidad

6.2 mm

Altura

2.4mm

Largo

6.6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

H

Energía nominal

221mJ

Estándar de automoción

No

País de Origen

China

Datos del producto

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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$ 11.540

$ 1.154 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 13.733

$ 1.373,26 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 40$ 1.154$ 11.540
50 - 90$ 1.096$ 10.960
100 - 240$ 986$ 9.860
250 - 490$ 888$ 8.880
500+$ 844$ 8.440

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Disipación de potencia máxima Pd

88W

Encapsulado

TO-252

Tipo de Montaje

Surface

Tipo de Canal

Type N

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.95V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

175°C

Profundidad

6.2 mm

Altura

2.4mm

Largo

6.6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

H

Energía nominal

221mJ

Estándar de automoción

No

País de Origen

China

Datos del producto

Discretos IGBT, STMicroelectronics

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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