Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
10A
Tipo de producto
Puerta de zanja Parada de campo IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
88W
Encapsulado
TO-252
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Canal
Type N
Número de pines
3
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
1.95V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
175°C
Profundidad
6.2 mm
Altura
2.4mm
Largo
6.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
H
Energía nominal
221mJ
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Volver a intentar más tarde
$ 11.540
$ 1.154 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 13.733
$ 1.373,26 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)
Estándar
10
$ 11.540
$ 1.154 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 13.733
$ 1.373,26 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
Estándar
10
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 10 - 40 | $ 1.154 | $ 11.540 |
| 50 - 90 | $ 1.096 | $ 10.960 |
| 100 - 240 | $ 986 | $ 9.860 |
| 250 - 490 | $ 888 | $ 8.880 |
| 500+ | $ 844 | $ 8.440 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
10A
Tipo de producto
Puerta de zanja Parada de campo IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
88W
Encapsulado
TO-252
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Canal
Type N
Número de pines
3
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
1.95V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
175°C
Profundidad
6.2 mm
Altura
2.4mm
Largo
6.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
H
Energía nominal
221mJ
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


