STMicroelectronics Puerta de zanja Parada de campo IGBT, STGD5H60DF, N-Canal, 10 A, 600 V, TO-252, 3 pines Superficie

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.