Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
IGBT
Corriente continua máxima de colector Ic
86A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
650V
Número de transistores
1
Encapsulado
TO-263
Número de pines
3
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
País de Origen
China
Datos del producto
La serie IGBT 650 V HB2 de STMicroelectronics representa una evolución de la estructura de parada de campo de puerta de trinchera patentada avanzada. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) a valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
Volver a intentar más tarde
$ 1.654.000
$ 1.654 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 1.968.260
$ 1.968,26 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
1000
$ 1.654.000
$ 1.654 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 1.968.260
$ 1.968,26 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
1000
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
IGBT
Corriente continua máxima de colector Ic
86A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
650V
Número de transistores
1
Encapsulado
TO-263
Número de pines
3
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
País de Origen
China
Datos del producto
La serie IGBT 650 V HB2 de STMicroelectronics representa una evolución de la estructura de parada de campo de puerta de trinchera patentada avanzada. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) a valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
