STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, STGB18N40LZT4, Tipo N-Canal, 30 A, 420 V, TO-263, 3 pines Superficie, 1 MHz
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
30A
Tipo de producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
420V
Disipación de potencia máxima Pd
150W
Encapsulado
TO-263
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
16 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
1.7V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Profundidad
9.35 mm
Altura
4.6mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
Automotive Grade
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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5
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IGBT
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Tipo de Montaje
Surface
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3
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Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
16 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
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Altura
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Longitud
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RoHS
Serie
Automotive Grade
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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