IGBT, STGB18N40LZT4, N-Canal, 30 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines, 1MHZ Simple

Código de producto RS: 810-3485Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STGB18N40LZT4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

30 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

420 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

16V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

1MHz

Configuración de transistor

Single

Dimensiones del Cuerpo

10.4 x 9.35 x 4.6mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Datos del producto

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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$ 3.875

$ 775 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)

$ 4.611

$ 922,25 Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)

IGBT, STGB18N40LZT4, N-Canal, 30 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines, 1MHZ Simple
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Estándar

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 3.875
10$ 7.750
15$ 11.625
20$ 15.500
25$ 18.575
30$ 22.290
35$ 26.005
40$ 29.720
45$ 33.435
50$ 36.050
55$ 39.655
60$ 43.260
65$ 46.865
70$ 50.470
75$ 54.075

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30$ 22.290
35$ 26.005
40$ 29.720
45$ 33.435
50$ 36.050
55$ 39.655
60$ 43.260
65$ 46.865
70$ 50.470
75$ 54.075

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Cinta
5 - 20$ 775$ 3.875
25 - 45$ 743$ 3.715
50 - 245$ 721$ 3.605
250 - 495$ 696$ 3.480
500+$ 677$ 3.385

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30 A

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16V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

1MHz

Configuración de transistor

Single

Dimensiones del Cuerpo

10.4 x 9.35 x 4.6mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Datos del producto

Discretos IGBT, STMicroelectronics

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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