STMicroelectronics IGBT, STGB10NC60HDT4, Tipo N-Canal, 20 A, 600 V, TO-263, 3 pines Superficie, 1 MHz

Código de producto RS: 795-7041PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STGB10NC60HDT4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

20A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

65W

Encapsulado

TO-263

Tipo de Montaje

Surface

Tipo de Canal

Type N

Número de pines

3

Velocidad de Comnutación

1MHz

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.5V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Profundidad

9.35 mm

Longitud

10.4mm

Altura

4.6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Datos del producto

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

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Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

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65W

Encapsulado

TO-263

Tipo de Montaje

Surface

Tipo de Canal

Type N

Número de pines

3

Velocidad de Comnutación

1MHz

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.5V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

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Máxima Temperatura de Funcionamiento

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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