STMicroelectronics IGBT, STGB10NC60HDT4, Tipo N-Canal, 20 A, 600 V, TO-263, 3 pines Superficie, 1 MHz
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
IGBT
Corriente continua máxima de colector Ic
20A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
65W
Encapsulado
TO-263
Tipo de Montaje
Superficie
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.5V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Anchura
9.35 mm
Largo
10.4mm
Altura
4.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Volver a intentar más tarde
$ 9.925
$ 1.985 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 11.811
$ 2.362,15 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
$ 9.925
$ 1.985 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 11.811
$ 2.362,15 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
Estándar
5
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 1.985 | $ 9.925 |
| 25 - 45 | $ 1.887 | $ 9.435 |
| 50 - 120 | $ 1.698 | $ 8.490 |
| 125 - 245 | $ 1.525 | $ 7.625 |
| 250+ | $ 1.452 | $ 7.260 |
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
IGBT
Corriente continua máxima de colector Ic
20A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
600V
Disipación de potencia máxima Pd
65W
Encapsulado
TO-263
Tipo de Montaje
Superficie
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.5V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Anchura
9.35 mm
Largo
10.4mm
Altura
4.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos