Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
58A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Tipo de Encapsulado
TO-3PF
Serie
MDmesh M5
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
79W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
143nC
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
26.7mm
Longitud
15.7mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
Korea, Republic Of
Datos del producto
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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$ 17.057
$ 17.057 Each (Sin IVA)
$ 20.298
$ 20.298 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
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1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | $ 17.057 |
| 5 - 9 | $ 16.207 |
| 10 - 24 | $ 14.585 |
| 25 - 49 | $ 13.136 |
| 50+ | $ 12.474 |
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MOSFET
Tipo de canal
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Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Tipo de Encapsulado
TO-3PF
Serie
MDmesh M5
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
79W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
143nC
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
26.7mm
Longitud
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Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
Korea, Republic Of
Datos del producto
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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