Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Tipo de Producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
58A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Encapsulado
TO-3PF
Serie
MDmesh M5
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
79W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión directa Vf
1.5V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
143nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-25, +25V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
26.7mm
Ancho
5.7mm
Longitud:
15.7mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
Korea, Republic Of
Datos del producto
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
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N
Tipo de Producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
58A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Encapsulado
TO-3PF
Serie
MDmesh M5
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
79W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión directa Vf
1.5V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
143nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-25, +25V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
26.7mm
Ancho
5.7mm
Longitud:
15.7mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
Korea, Republic Of
Datos del producto
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.