Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
35A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Encapsulado
TO-220
Serie
MDmesh M5
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
78mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
40W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
82nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-25, +25V
Tensión directa Vf
1.3V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
16.4mm
Longitud:
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Profundidad
4.6mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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$ 9.025
$ 9.025 Each (Sin IVA)
$ 10.740
$ 10.740 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
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1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | $ 9.025 |
| 5 - 9 | $ 8.568 |
| 10 - 24 | $ 7.718 |
| 25 - 49 | $ 6.930 |
| 50+ | $ 6.599 |
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Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
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Encapsulado
TO-220
Serie
MDmesh M5
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
78mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
40W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
82nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-25, +25V
Tensión directa Vf
1.3V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
16.4mm
Longitud:
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Profundidad
4.6mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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